不同的光電探測(cè)器的芯片通常由不同的材料制成，常見(jiàn)的材料有硅(Si)，跟銦鎵砷(InGaAs)。硅材料制成的光電探測(cè)器通常對(duì)可見(jiàn)光波段的光特別敏感，而銦鎵砷材料制成的光電探測(cè)器則對(duì)近紅外光敏感（典型波長(zhǎng)1550nm)。

那么我們?cè)趺粗拦怆娞綔y(cè)器對(duì)那個(gè)波長(zhǎng)的光有響應(yīng)呢，一般在光電探測(cè)器的規(guī)格書(shū)中都會(huì)附加有光譜響應(yīng)曲線的圖示。

以我們的APD12703A這款硅材料的光電探測(cè)器為例，我們查閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)，可以看到光譜響應(yīng)曲線如下。

從波長(zhǎng)的響應(yīng)圖我們可以看出，該款光電探測(cè)器的響應(yīng)范圍是：300-1000nm, 在800多nm的位置處，響應(yīng)度是最高峰的。同時(shí)在355nm以下，改款光電探測(cè)器依然有不錯(cuò)的響應(yīng)。

以下是APD430C系列的，對(duì)近紅外光敏感的光電探測(cè)器的曲線圖。

從曲線圖我們可以看到改光電探測(cè)器的響應(yīng)范圍是：800-1700nm