光纖振動(dòng)DVS資料,光纖傳感資料收集匯總
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: 激光, 飽和功率 更新日期: Feb 21, 2022
光電探測(cè)器PD芯片通常有一個(gè)飽和功率的參數(shù)值,當(dāng)進(jìn)入光電探測(cè)器PD的功率大于該值時(shí),則容易導(dǎo)致光電探測(cè)器損壞。 那么我們?cè)撊绾翁綔y(cè)更高功率的激光呢? 答案是采用外部衰減的方案。
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: 銦鎵砷探測(cè)器 更新日期: Jan 23, 2022
光電探測(cè)器是將光輻射轉(zhuǎn)化為電量的一種元器件,被廣泛的應(yīng)用于各行業(yè)當(dāng)中。市場(chǎng)上的光電探測(cè)器種類繁多,如何才能夠高效、簡(jiǎn)易的選擇一款合適光電探測(cè)器?我們可以將市場(chǎng)上的光電探測(cè)器做個(gè)分類,一般可以按照工作波段以及探測(cè)器工作原理區(qū)分,這樣我們就可以按照我們的需求去選擇對(duì)應(yīng)的探測(cè)器了。
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: sipm, 硅光電倍增器 更新日期: Jan 23, 2022
什么是硅光電倍增器(SiPM)?SiPM現(xiàn)狀及問(wèn)題。硅光電倍增器(SiPM--siliconphotomultiplier)是一種由工作于雪崩擊穿電壓之上和具有雪崩猝滅機(jī)制的雪崩光電二極管陣列并聯(lián)構(gòu)成的,具有極佳的光子數(shù)分辨和單光子探測(cè)靈敏度的硅基弱光探測(cè)器。
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: 空間光耦合 更新日期: Jan 23, 2022
空間光耦合至光纖的方法,需要使用的設(shè)備,光電探測(cè)器、示波器、功率計(jì)、光斑分析儀等。
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: 500-880nm, 可見(jiàn)光, 波長(zhǎng) 更新日期: Jul 19, 2021
可見(jiàn)光得波長(zhǎng)范圍大概是:500-880nm,波長(zhǎng)500-880nm 可見(jiàn)光PIN光電探測(cè)器產(chǎn)品介紹
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: 光的波長(zhǎng), 可見(jiàn)光, 波長(zhǎng)范圍, 激光, 激光波長(zhǎng) 更新日期: Jul 18, 2021
人肉眼可以識(shí)別感知到的部分,只有電磁波譜中的可見(jiàn)光,可見(jiàn)光譜沒(méi)有精確的范圍,正是因?yàn)楦鞣N光的波長(zhǎng)不同,我們才能看到不同的顏色。大部分人的眼睛可以感知的電磁波的頻率在380~750THz,波長(zhǎng)在780~400nm之間,但還有一些人能夠感知到頻率大約在340~790THz,波長(zhǎng)大約在880~380nm之間的電磁波
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: pin, pin光電探測(cè)器 更新日期: Jun 09, 2021
PIN型光電探測(cè)器的基本原理。 眾所周知,PIN二極管是由一層本征(或低摻雜)層夾在重?fù)诫s的P層和N...
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: ingaas, ingaas探測(cè)器, 銦鎵砷 更新日期: Jun 09, 2021
產(chǎn)品介紹:
銦鎵砷(InGaAs)探測(cè)器,典型波長(zhǎng)為1550nm,ingaas光電探測(cè)器!快速響應(yīng),重復(fù)穩(wěn)定性好. 該系列二極管具有低暗電流
類別: 光電探測(cè)器 標(biāo)簽: pin, pin光電探測(cè)器 更新日期: Jun 06, 2021
光電二極管同樣基于PN結(jié)的光伏效應(yīng),與光電池相比, 主要特點(diǎn)是結(jié)區(qū)面積小,通常工作與反偏置狀態(tài)。其內(nèi)建 電場(chǎng)很強(qiáng),結(jié)區(qū)較寬,結(jié)電容小,所以頻